海创光电取得一种高隔离度环行器芯专利，实现不同通道隔离度差异化，对光通信模组性能提升和成本降低有极大帮助

金融界2024年7月28日消息，天眼查知识产权信息显示，福建海创光电技术股份有限公司取得一项名为“一种高隔离度环行器芯“，授权公告号CN221406092U，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本实用新型涉及一种高隔离度环行器芯，包括依序设置的第一偏振分光棱镜、旋光机构、第二偏振分光棱镜和爬行棱镜。通过采用爬行棱镜、第一偏振分光棱镜、旋光机构、第二偏振分光棱镜进行配对组合，形成具有紧密结构的光环行器芯，该光环行器芯能够实现从输入端口输入的光信号可以输送到对应输出端口，对应输出端口反向输入的信号光不会到达对应输入端口，而从其他端口进行输出，从而实现信号光的抑制隔离，使得光信号能够按照环行器传输的功能进行传播。本实用新型还实现了不同通道隔离度差异化，P2到P1三级隔离保证隔离度，P3到P2单级隔离低损耗，对光通信模组性能的提升以及成本降低有极大帮助。

本文源自金融界

为电源设计带来革新，茂睿芯两款新型隔离驱动芯片详解

前言

对于快充电源而言，一般使用独立初级控制器搭配次级同步整流控制器，次级同步整流控制器自动检测初级开关管的开关，自动控制同步整流管的开关。而更大功率电源其内部的LLC控制器，会由初级LLC控制器输出同步整流信号，无需次级同步整流控制器以获得更高的效率。

我们都知道开关电源内部是初次级隔离的，输出电压通过光耦来反馈。对于大功率开关电源来说，为了降低初级的损耗，会把控制器放在次级，由辅助电源进行供电。这样一来，就需要一颗隔离驱动器，将控制器输出的驱动信号隔离放大，用来驱动初级MOS管。

通常我们所熟知的隔离器件是光耦，光耦确实可以起到隔离通信的作用，但是光耦内部没有驱动器，需要外置的独立驱动器，使用起来比较麻烦。针对这一痛点，茂睿芯推出了一系列高可靠性隔离栅极驱动器芯片，可助力厂商实现高效且精简的隔离驱动电路设计。

茂睿芯隔离驱动芯片

充电头网总结了茂睿芯推出的两款隔离驱动芯片，并将其封装特点以及具体型号汇成下表所示。

茂睿芯MD18011X

MD18011X系列是一款光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器，具有4A拉电流和7A灌电流能力，输入引脚耐压-16V，主要用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。其采用了自主开发的磁隔离技术，绝缘耐压等级高达5700VRMS，能有效提高设备可靠性及使用寿命，应对强电对信号的干扰时也能有效防止对信号链的干扰，从而让系统稳定运行。

相比于传统的光耦型栅极驱动器，MD18011X具有工作寿命更长，CMTI≥200kV/us以上，耐负压能力更高，UVLO恢复更快，脉冲宽度失真更小等优点。

MD18011X系列采用SOW-6封装，并具有8mm的电气间隙和爬电距离，可广泛应用于工业电源、光伏逆变器、伺服、变频器等系统之中。

茂睿芯MD18023X

MD18023X系列作为一款双通道隔离型栅极驱动器，具有4A拉电流和7A灌电流能力来驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器和一个半桥驱动器。输入端通过5.7kVRMS的隔离障壁与输出端隔离，具有最小200-V/ns的共模瞬变抗扰度。

输入侧所有端口均可耐受-10V至30V的直流电压，从而增加了对长传输路径上寄生电感引起的振铃的稳健性。保护功能包括可编程的死区设置（DT PIN）、DIS功能以关闭两通道输出和所有供电的欠压锁定（UVLO）。

MD18023系列通过了多项安全相关认证，提供SOP-16、SOP-16宽体两种封装，可应用于隔离式交流-直流和直流-直流电源、服务器、工业基础设施、混动车和电动车充电器等领域之中。

充电头网总结

茂睿芯MD18011X和MD18023X芯片均是隔离型栅极驱动器，适用于驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。MD18011X特点包括4A拉电流和7A灌电流能力，输入侧-16V耐压，5700VRMS磁隔离技术，长工作寿命，高CMTI值（≥200kV/us），更强的耐负压能力，快速UVLO恢复，和较小脉冲宽度失真。采用SOW-6封装，具备8mm以上电气间隙和爬电距离，适于工业电源、光伏逆变器等应用。

MD18023X提供4A拉电流和7A灌电流能力，可配置为两个低侧或高侧驱动器，或一个半桥驱动器，具有5.7kVRMS隔离壁，最小200-V/ns共模瞬变抗扰度。输入范围-10V至30V直流电压，增强对振铃的稳健性，并有可编程的死区设置、禁用功能和UVLO保护。通过安全认证，提供SOP-16和SOW-16封装，适合隔离式AC-DC和DC-DC电源、服务器等应用。

两款芯片优势在于高效驱动能力、强大的隔离性能、稳健的输入电压处理、多样的配置选项以及广泛的应用范围，特别适合要求高可靠性和安全性的关键领域。

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