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光通讯刻线设备 500W单模连续绿光激光器
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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500W单模连续绿光激光器

01  材料vs.激光波长

  从1960年第一台激光器诞生至今,经过60余年的发展,激光作为一把最锋利、最精细的刀,逐步应用于我们的生活中。激光与生物学、医学治疗及诊断、制药科学相结合,在激光治疗、激光手术、激光诊断等方面已逐步渗透到日常生活中。在装备制造领域,高功率激光设备在航空、航天、汽车、高铁、船舶等高端装备制造领域的切割、焊接、测量、打标等环节发挥着越来越重要的作用。在精细微加工方面,超短脉冲激光在光伏、液晶显示、半导体、LED、OLED 等领域的钻孔、刻线、划槽、表面纹理化、表面改性、修整、清洗等环节发挥了不可替代的作用。随着半导体泵浦技术的快速发展,1um波长的近红外激光器,经过多年的发展,已形成完整的产业链,在工业加工应用中占据举足轻重的地位。尤其是1um近红外光纤激光器,因其功率覆盖范围广、光束质量优异,稳定可靠等特性,成为目前应用较多的激光器类型。

  铜是世界上应用量仅次于铁、铝的第三大金属。铜材料作为现代工业加工,应用极为广泛的金属材料之一。铜产业链终端需求结构涵盖航空航天、高速列车、智能终端产品、电子通讯、汽车等30多个细分行业,是高端工业应用的主要风向标。目前大规模使用的1微米波段的红外光纤激光器,因对铜的吸收较弱,在铜材料的加工上,存在飞溅大,熔深不可控等不足之处。

  图1是常用金属材料对不同波长激光吸收曲线,可见不同金属对激光的吸收率在不同波长下有很大差别。图2单独针对金属铜给出了不同波长的吸收率对比曲线。在室温下,铜对近红外波长(约1微米)吸收率不到5%,因此用红外光来加工铜材效率极低,95%的激光会被反射掉同时还会对激光器本身产生损害;而铜对绿光波长(515nm和532nm)吸收率高达40%以上。材料本身对激光波长的选择性决定了高反材料的精密加工的最理想波长是短波长(≤700nm)

  图1 不同金属材料的吸收系数对比 ↑

  图2金属铜对不同三种波长的激光吸收率的对比

  引自《绿光激光加工的新进展》

  相对于紫外激光波长较短,目前材料科学的瓶颈限制,未能支持实现稳定高功率紫外激光输出,超过百瓦级的紫外激光器已极为罕见。反而,经过各国科学家的努力,商用的绿光激光器近年取得较大的进展。德国通快和美国IPG 分别通过,碟片激光技术和光纤激光技术,获得超过3千瓦和1千瓦的超高功率绿光输出。

  在目前工业应用两个重要难题---铜材料的3D 打印及精密焊接应用上,高功率连续绿光激光器,发挥着异常重要的作用。

  02  高功率绿光的应用前景和优势

  2021年第十四届中国国际电池技术展览会上,德国通快首发了旗下3千瓦高功率连续绿光碟片激光器。该产品平均输出功率高达3千瓦,代表了目前绿激光系列中的最强功率,非常适合铜、铝等高反材料的焊接工作。特别是在以新能源汽车动力电池为代表的锂电行业,通快绿光激光器(1000-3000W)可实现多达120层的铜箔焊接,几乎无飞溅,熔深精确可控。此外高功率绿光在纯铜材料3D 打印应用上也有着突出优势。而目前国内在高功率绿光激光器上尚属空白。

  2.1 高反金属焊接

  由于铜材料出众的导电性,锂电行业尤其是新能源汽车动力电池中大量使用铜材料。目前主流还是使用大功率的红外光纤激光器去做铜的焊接。相比于红外波段,用绿光做铜的焊接效率会更高,而且几乎没有飞溅。而飞溅对电池加工来说是致命的,飞溅物会影响电池的生产安全、性能和寿命。

  图3在小孔形成过程中,铜从固态转变为熔融状态时,对红外激光的吸收变化情况

  引自《绿光激光加工的新进展》

  图3给出了铜对1064nm红外激光的吸收情况。从图3中可以看出,随着熔化温度的从0增长到1400K的过程中,铜对红外光的吸收缓慢的从5%-涨到10% 左右 ;当铜达到熔点(1400K)之后,铜对红外波段激光的吸收率会从10%阶跃式的升至17% 左右,然后随着温度继续升高,吸收率会缓慢增长。这种在熔点前后,吸收率的骤变会导致一些熔化的材料以飞溅的形式排出,还会导致小孔塌陷,使整个工艺不得不重新开始。特别是锂电池的后道工艺焊接,焊接的良品率对电池的成本具有直接的影响。

  图4 :铜在固态和熔融状态下对不同波段激光的吸收情况

  (图片来源:S. Kohl,德国光子技术研究所)

  图4给出了铜对不同波长(红外,绿光和蓝光)在不同温度下的吸收曲线。图中绿色线条代表的就是铜分别在20℃(固态)和1600℃(熔融态)对绿光的吸收率。在室温20℃,铜处于固态的时候,对绿光波段的吸收率为40%左右,而在温度升至1600℃,铜处于熔融状态后,吸收率反而下降了5%左右。即铜融化后对绿光的吸收是略有下降。这一特性有助于在加工铜时获得稳定的小孔,并能达到几乎是零飞溅。这是绿光激光相对于红外激光焊接的明显优势。

  2.2 纯铜材料3D 打印

  铜材料由于其优异的热导率、电导率等优良特性,广泛应用高端制造。例如航空航天、高速列车、汽车工业等领域,在纯铜材料3D 打印技术上,存在直接应用需求。

  图5纯铜材料3D打印样品

  引自《绿光激光加工的新进展》

  金属材料3D打印的激光光源,目前主要使用1um 近红外单模光纤激光器。1um 近红外单模光纤激光器由于铜材料的吸收系数上,存在吸收系数较低,并且随温度影响较大的缺点,导致打印样品致密度较低,而且过程稳健性差。绿色激光,作为高反金属材料3D打印的最佳光源,进行纯铜材料3D 打印,可以良好的解决相关问题,实现大于99.95%的致密度。

  图6. 纯铜材料3D打印光源效果对比 (引自3D Science Valley)

  03  公大激光的高功率连续单模绿光

  深圳公大激光有限公司主要从事“先进短波长光纤激光器"和“激光精密加工解决方案”的研发、生产和销售,是一家专注于中高功率短波长(绿光和紫外)光纤激光器的研发、生产和应用方案的激光器公司。目前主要产品有50-500W高功率单模绿光激光器和100-1000W MOPA单模脉冲光纤激光器。

  公大激光一直专注于高功率短波长光纤激光器的研发,并率先在国内推出了可用于高反金属3D 打印及精密焊接的500W 单模绿光激光器:GCL-500 。GCL-500绿光激光器采用全光纤基频加腔外倍频的方案,获得了最高超过500W的单模连续绿光输出,填补了该类型产品在国内的空白。

  图7. 500W 连续绿光输出功率测试

  测量的主要激光特性见下:

  (1)GCL-500基本参数

  表1 GCL-500 基本参数

  (2)功率-基频曲线

  图8 500W 连续绿光-倍频功率和效率曲线

  (3)功率稳定性

  图9 24小时功率稳定性测试曲线

  (4)输出光束质量

  图10 530W功率输出,GCL-500光束质量M2测试结果

  (5)输出光斑能量分布

  图11 530W功率输出,GCL-500输出光斑测试结果-距离输出端口2m位置

  04  致力于短波长高功率激光器的

  先进应用

  GCL-500连续单模绿光激光器的输出功率稳定性良好,光束质量优异,对高反材料尤其是铜的高吸收率,使其有望应用于纯铜材料的3D打印。通过进一步增加空间调制器,还可以获得高速调制频率的脉冲绿光,这使得它在高反材料的精密切割和焊接上也具有广泛的应用前景。

  GCL-500连续单模绿光激光器,采用自由空间输出,有利于保证优异的光束质量。该激光器也可以提供耦合至光纤的柔性传输方式,更方便地匹配自动化控制,应用于高反材料焊接工艺。激光焊接工艺经过长时间的摸索表明,采用不同能量分布的输出光斑(光束整形),可获得更优的焊接效果。另外,基于公大激光的GCL-500单模块单模绿光激光器,也可以进行多模块空间或者光纤合束。一方面,可获得灵活光束能量分布的绿光输出;另一方面,可以获得数千瓦级乃至上万瓦的连续光纤绿光输出,为高质量、高效率、高良率的激光焊接提供核心的高功率短波长光源。

  连续高功率绿光激光器,可在铜材料的加工应用上,提供一种有效的解决方案,有望在纯铜3D打印及高反金属精密焊接上大放异彩。

此文来自于:科维网激光

芯片巨头美光:成功绕过了EUV光刻技术

本周美光宣布,采用全球先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证,并做好了量产准备。1β工艺可将能效提高约15%,存储密度提升35%以上,单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。一个值得关注的点是,美光称,1β绕过了EUV(极紫外光刻)工具,而依然采用的是DUV(深紫外光刻)。这意味着相较于三星、SK海力士,美光需要更复杂的设计方案。毕竟,DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力,各公司目前通过不断缩小电路面积来进行竞争。同时,美光的产品最终在成本上或许也会更具比较优势。据悉,美光已经在LPDDR5X移动内存上率先应用1β工艺,还使用了第二代HKMG(高K金属栅极)工艺,最 高速率8.5Gbps(等效于8500MHz)。

一、晶圆代工产业在过去的十年中,发生了巨大的变化

美光的无源离子注入术,指通过无源设备对紫外光束进行照射,使得在电子晶圆上建立的光刻线与晶圆表面上已经存在的光刻线相分离。这种技术的主要特点是将整个芯片的图形单元连接起来,这样一个组件就可以显示在半导体上了。目前,微处理器产业在全球经济中占有很大的份额,因为他们正在向数字化和新能源发展,对于芯片的需求也在不断地增加。同时这些技术也会为芯片设计提供更多功能。

二、硅基半导体是5 G通信技术所需要的基础材料

硅基半导体是硅材料发展进程中最重要的一个分支,其特点是原子序数大、电子迁移率高、电导率大、耐高压,目前已经被广泛应用于高频通信、计算机、电子产品、电力电子、汽车等领域。随着5 G通信技术研发进程逐步深入,以及5 G网络设备不断成熟使用,硅基材料与其他基础材料相比,能够满足5 G网络对不同材料间互补性和兼容性要求。目前国内自主研发、生产、销售主流硅基材料生产企业有紫光展锐、华虹宏力、通富微电等,产品主要用于消费电子领域或与5 G相关设备兼容型应用产品中。不过也有企业认为硅基半导体技术壁垒较高,目前只有少数企业掌握核心技术。但未来随着5 G网络设备逐步普及和升级应用,硅基材料有望逐步实现技术突破。

三、无源离子注入术可用于直接获得光刻芯片

无源离子注入术(NVM)是一种将光子转移到电路中的方法,可以直接从晶圆或面板转移到基板上。NVM是从离子中直接迁移到晶圆和面板中的一种技术,其与直接沉积材料方法相似。但 NVM更像是一种“化学清洗”方法,而不是使用一种特定或更传统的化学介质对晶圆进行清洗。

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